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由留德人员发起,联合欧盟第三代半导体实验室和西北工业大学理学院,南京大学微电子学院,西安电子科技大学等国内外研究机构和知名专家,研发团队的技术水平为国际领先,可以较高成功率稳定产出4英寸和6英寸SiC单晶晶圆,未来该技术发展方向为大尺寸SiC单晶制备生产批量成熟技术和前沿半导体技术。该成果可广泛应用于新能源车、太阳能风能、电力电子、高铁、电源、雷达、5G通信、航空航天、机器人等高精尖领域。